PIC离子镀膜源
PIC(Pure Ion Coating)特征是：在真空条件下点火碳头敲击至阳极内的阴极靶（碳靶）上，靶面被瞬间激发产生电场，在放电空间...
非平衡磁控溅射镀膜源
其特征是：通过对磁场的设计将靶面的等离子体延伸到靶面前200-400mm的范围，等离子体以一定能量轰击基板，辅助薄膜的沉积...
IONBEAM离子束清洗源
IONBEAM离子束清洗源特征是：结构简单，束流密度大，离子能量可控，在大面积改性处理方面具有独特的优势，离子束清洗源是在...
