镀膜设备-P纯离子镀膜机系列

镀膜设备-P纯离子镀膜机系列

PIS111-2

PIS111-2设备主要是(集)纯离子镀膜技术(PIC)、 高能离子束清洗技术(IONBEAM)两种技术融合一体,本系列标配双腔室结构,更好的满足高真空镀膜需求;使膜层具有高致密度、超硬、耐磨损、耐腐蚀等特点。设备可镀制10nm-3μm的超级类金刚石膜(Ta-C)。设备具备可编程序控制器(PLC)+人机界面(HMI)组合电气控制系统,全自动化控制系统。

设备优势

设备配套有更高效的电磁过滤系统,极好的获得纳米级超洁净涂层专注于超洁净纳米Ta-C涂层制备,广泛应用于玻璃模压成型模具表面改性;

双腔室设计,保证了工艺腔的稳定性,极大缩短了镀膜前处理时间,提高工作效率;

采用纯离子低温镀膜工艺,镀膜过程控制在80℃以下,可避免热应力和基材变形;

自主设计的全自动智能化工艺操作系统,提供全面、便捷的工艺配方编辑及调用能力,配备实时工艺参数监控系统,允许在线远程控制。

设备参数

设备型号

PIS111-2

镀膜源类型

纯离子镀膜源、高能离子束清洗源、磁控溅射源

极限真空(清洁空载条件下)/漏率

装载腔:≤8.0×10-5Pa/≤5×10-10Pa•m3/s

工艺腔:≤5.0×10-5Pa/≤5×10-10Pa•m3/s


抽气速率

装载腔:<15分钟(真空度5x10-3Pa,空载)

工艺腔:<30分钟(真空度5x10-3Pa,空载)


真空室尺寸(mm)

装载腔室:570*495*384

工艺腔室:730*550*525


有效镀膜范围(mm)

φ200

可选配套电源

直流、脉冲直流、射频等

工艺气体

Ar、 N2、O2等

靶材匹配

石墨靶、金属靶

真空系统

机械泵+分子泵

控制方式

PLC+上位机

设备功率

30KW

设备占地(mm)

L4488×W2668×H2030

配套要求

循环水压力:0.2-0.4MPa,压缩空气:0.6-0.7MPa

生产周期

1-3小时/炉(根据产品)

设备应用领域

精密光学行业(模压模具、精密机械零部件等),满足客户超硬耐磨高寿命使用需求。

PIS111-2设备镀制膜层图集(部分)