PIS422型纯离子镀膜设备(如图)集纯离子镀膜技术(PIC)、高能离子束清洗技术(IONBEAM)和磁控溅射技术(SPUTTER)三种技术融合于一体，设备利用高效的电磁过滤系统和电磁扫描系统，有效过滤掉中性粒子、大颗粒离子团等杂质，大幅度提高等离子束流纯度，使膜层更加致密，硬度更高，耐磨性和耐腐蚀性也更优异。可以镀制厚度范围从100nm-28μm的超级类金刚石Ta-C膜层。
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设备型号 |
PIS422 |
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镀膜源类型 |
纯离子镀膜源、高能离子束清洗源、磁控溅射源 |
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极限真空（清洁空载条件下）/漏率 |
≤5×10-4Pa/≤5×10-10Pa•m3/s |
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抽气速率 |
<30分钟(真空度5x10-3Pa，空载) |
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有效镀膜范围(mm) |
Φ1000*H600 |
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可选配套电源 |
直流、脉冲直流、中频、射频、高功率脉冲等 |
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工艺气体 |
Ar，C2H2，N2，O2等 |
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靶材匹配 |
石墨靶、Cr、Ti、Ni、Cu、Ta、Zr、W等金属单质或合金靶 |
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真空系统 |
机械泵+罗茨泵+分子泵 |
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控制方式 |
PLC+上位机 |
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设备功率 |
50KW |
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设备占地（mm） |
L4650×W3900×H2850 |
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配套要求 |
循环水压力：0.2-0.4MPa，压缩空气：0.6-0.7MPa |
消费电子、交通工具、医疗器械、高校及科研院所、工业耗材制造等行业。
PIS422设备镀制膜层图集（部分）
