离子镀膜源

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离子镀膜源

PIC离子镀膜源


PIC(Pure Ion Coating)特征是:在真空条件下点火碳头敲击至阳极内的阴极靶(碳靶)上,靶面被瞬间激发产生电场,在放电空间中,工艺气体的气体原子与电子发生碰撞使气体离化产生等离子体,并受到基片前负电位电场加速,轰击沉积在基片表面。纯离子镀膜形成的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控能数多、膜层粒子总体能量高,容易进行反应沉积,可以在较低温度下获得化合物膜层。