P纯离子镀膜机系列

P纯离子镀膜机系列

PI纯离子镀膜机

PIS210-2镀膜机:腔体结构由装载腔室+真空镀膜工艺强势组合而成;镀膜工艺系统由纯离子镀膜(PIC)+离子束清洗(IONBEAM)组合而成。本设备为全自动设备。模块化控制,操作简单、维护方便,一键式操作即可完成多层镀膜膜沉积,适合光学镜头模具等高端产品的镀膜。

主要特点

1、腔体结构由一个装载腔室和一个真空镀膜工艺腔室组合而成;

2、装载腔室装载的同时镀膜工艺腔室同步进行抽真空,极大缩短了镀膜前处理时间,提高工作效率;

3、装载腔室和镀膜工艺腔室之间我们设计采用插板阀隔开,可以有效隔断,稳定工艺气体;

4、传动采用磁导向,保障传动的稳定性。采用变频调速电机驱动,运行速度可调节。



技术优势

1、PIC配有高效的电磁扫描系统和过滤系统,离子束能量和方向可调,可将等离子体中的杂质颗粒、宏观粒子、大型离子团等过滤干净,经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%,并且可以过滤掉大颗粒,因此制出的纳米薄膜非常致密且平整光滑,抗腐蚀性能好,与工件的结合力很强,在均匀性、致密性、结合度、硬度、摩擦系数、改变物质表面结构和消除薄膜颗粒等方面取得里程碑式的突破;

2、纯离子镀膜技术是低温工艺,镀膜过程可以控制在80〫C以下。镀膜过程中既不需要高温也不会产生高温,因此可以应用于塑料、橡胶等产品;

3、作为纯离子镀膜重要应用之一的类金刚石DLC镀膜,膜层可以达到75%以上的(金刚石键)SP3键,其物理化学性质和金刚石极其类似,所以薄膜具有极高的硬度(>75GPa),极低的摩擦系数(<0.1),耐腐蚀性、光学透明度等一系列优异特征。可将镀膜件(基体)寿命延长7-10倍。



设备参数

P系列(PI)设备参数

装载/卸载真空腔室

镀膜工艺真空腔室

420*500*525(mm)

720*580*550(mm)

有效镀膜空间

Φ250mm

工件最大直径*数量

Φ250mm最大高度75mm

抽气时间

大气到6X10-3 <15分钟

工作电压/频率

380V/50Hz

实际功率

30KW

应用技术

PIC+IONBEAM

镀膜源类型

纯离子镀膜源

阳极层离子束清洗源

极限压力

5.0*10-4Pa

漏率

<10-9Pa.L/s

标准涂层

金刚石膜(DLC)、Ta-C

其它复合涂层

装饰膜、非金属及其化合物的膜层和复合膜层

基片转架

公转+自转+磁力传动

真空室结构

装载腔室+镀膜工艺腔室

电源类型

多种电源

真空系统

分子泵、旋片泵

生产周期

2-24小时/炉(根据产品)

外围尺寸

L3410*W4328*H2310MM

产品传输方式

采用磁力传动,保证真空密封的可靠性

配套条件

循环水压力:4KG/CM3

水量:2-6T/H

压缩空气:4-6 KG/CM3


控制方式

1、模块化设计,设备操作方面;

2、一键式操作即可完成整套工艺;

3、生产工艺参数自动保存;

工艺气体

Ar、N2、O2、C2H2等

适用范围

精密光学行业;高精机械加工行业;科研单位等。

备注

真空室尺寸,设备外观等可按客户产品或及特殊工艺要求订做,外围尺寸根据客户安装场地条件可做调整。