设备主要原理：通入刻蚀室的工艺气体分子分解电离，产生等离子体。由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应;通过脉冲/射频电源，使等离子体中的正离子对被刻蚀材料表面进行物理轰击，从而以物理、化学相结合的方法对材料表面进行处理，达到对产品表面进行清洁、改性、刻蚀的目的。
双离子源可通过两侧气缸升降，便于保养维修;
超低刻蚀温度，满足不同场合温度要求，可避免热应力和基材变形;
采用专利的离子束清洗源和独有的放电技术，等离子体密度高，刻蚀清洗效果好，具有良好的均匀性;
报警及保护:全面安全防护包括:温度安全防护功能、过载防护功能、短路断路报警防护功能，各种误操作保护功能。
可刻蚀材料：金属，非金属，合金，半导体（单晶硅、多晶硅、SiO2），金属氧化物，氮化物，碳化物，陶瓷，聚合物，超导材料等；可退碳基薄膜，可作为DLC/Ta-C薄膜的退膜机使用；可应用在半导体、光学、科研等领域。
