CVD镀膜机系列

CVD镀膜机系列

NDT镀膜机

由多个高真空单靶磁控溅射组成工艺系统

NDT系列设备主要是由电源系统、真空系统、控制系统、磁控溅射镀膜源系统组成。控制系统是由PLC程序控制的工控机。电源主要是控制电源和偏压电源。每个磁控溅射镀膜源靶由低电压高电流的电弧源提供能量,电压电流都可以调节。设备有12只阴极电弧离化源,能够保证同时安装3列纯金属或合金靶材。工件与腔体之间是负偏压,其目的是提高入射粒子的速度、沉积速率,增加膜和基体表面的结合的牢固度。

系统由至高真空后充入工艺气体,在阴极和阳极间加压,两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与靶表面原子碰撞,受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,溅射原子在基片表面沉积成膜。磁控溅射溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好、装置性能稳定、操作控制方便。


主要特点

1、 独特的磁场设计,在真空条件下把碳氢气体离化为碳等离子体,再利用专利离子引出装置技术,能够制成性能优越的超级类金刚石DLC薄膜;

2、 设备具备加热、离子束溅射清洗和磁控溅射沉积金属层的能力;

3、 腔室圆周壁安装磁控溅射源、离子束清洗源和加热器,底部布置高真空抽气系统。顶部有旋转基片架驱动系统和真空度测量系统 ;

4、设备采用全自动控制系统,能控制工艺温度、膜层厚度,能对微孔内壁镀膜;

5、行星转架底座为公转+自转结构;

6、 突出安全性设计:设备中外露部分,包括真空腔室、抽气系统、离子源背部等能触摸到的表面,全部接地保护;内部带电部分也有明显警示标志。设备控制软件设有自动保护功能。



技术优势


1、纯离子镀膜技术的两大创新和成熟的工艺相结合,使得膜层具备如下性能:大面积镀膜、均匀性好;绕射性好、适用于复杂形状曲面的镀膜、可涂覆带有槽、沟、孔,甚至是盲孔的工件;

2、工艺稳定、重复性好;粘附性好;高纯度、无颗粒;摩擦系数小、防刮花、耐磨损;

3、化学稳定性好、适应恶劣环境、耐腐蚀;

4、适用于光学膜层;可以在导体、半导体和绝缘体基底上沉积;可以和纯离子镀膜,磁控溅射和离子束清洗等工艺配合等;

5、NDT技术备制的膜层厚度通常在5nm-15μm之间,可以广泛应用在:3C消费电子、家电、纺织、阀门、半导体、模具、新能源、军工航天、科研等行业;

6、NDT设备高沉积速率;

7、镀膜的种类多样化,膜层厚度均匀性良好。



设备参数

CVD系列(NDT)设备参数

炉体尺寸

内空间φ1600*H1300(可订制)

有效空间

Φ1300*H1090

工件最大直径*数量

依客户工件尺寸定量

抽气时间

大气到6X10-3 <15分钟

工作电压/频率

380V/50Hz

实际功率

50KW

应用技术

NDT+IONBEAM+SPUTTER

镀膜源类型

金属溅射镀膜源

离子束清洗源

极限压力

5.0*10-4Pa

漏率

<10-9Pa.L/s

标准涂层

TiNCrNTiCN

其它复合涂层

金属、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、光电材料、钻石膜等

基片转架

公转+自转

真空室结构

立式单开门

电源类型

多种电源

真空系统

分子泵、罗茨泵、旋片泵

生产周期

4-24小时/

外围尺寸

L5000*W3550*H2680MM

产量/

依客户工件尺寸定量

配套条件

循环水压力:4KG/CM3

冷却纯水水量:8T/H

压缩空气:4-6 KG/CM3

控制方式

PLC+触摸屏+组态软件

工艺气体

ArN2O2

工业PC+PLC+触摸屏

自己开发的镀膜专用软件

适用范围

可用于制备高质量的金属薄膜、半导体薄膜、介电、绝缘材料薄膜以及复合薄膜、多层异质结等。

备注

真空室尺寸,设备外观等可按客户产品或及特殊工艺要求订做,外围尺寸根据客户安装场地条件可做调整。